化學(xué)氣相沉積是一種化工技術(shù)，該技術(shù)主要是利用含有薄膜元素的一種或幾種氣相化合物或單質(zhì)、在襯底表面上進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)生成薄膜的方法。化學(xué)氣相淀積是近幾十年發(fā)展起來(lái)的制備無(wú)機(jī)材料的新技術(shù)?；瘜W(xué)氣相淀積法已經(jīng)廣泛用于提純物質(zhì)、研制新晶體、淀積各種單晶、多晶或玻璃態(tài)無(wú)機(jī)薄膜材料。這些材料可以是氧化物、硫化物、氮化物、碳化物，也可以是III-V、II-IV、IV-VI族中的二元或多元的元素間化合物，而且它們的物理功能可以通過(guò)氣相摻雜的淀積過(guò)程精確控制?；瘜W(xué)氣相淀積已成為無(wú)機(jī)合成化學(xué)的一個(gè)新領(lǐng)域。

　　使用化學(xué)氣相沉積爐做實(shí)驗(yàn)時(shí)，有如下特點(diǎn)：

　　1、設(shè)備的工藝操作都較簡(jiǎn)單、靈活性較強(qiáng)，能制備出配比各異的單一或復(fù)合膜層和合金膜層；

　　2、CVD法的使用性較廣泛，可制備各種金屬或金屬膜涂層；

　　3、因沉積速率可高達(dá)每分鐘幾微米到數(shù)百微米，因此生產(chǎn)效率高；

　　4、與PVD法相比較繞射性好，非常適宜涂覆形狀復(fù)雜的基本，如槽溝、涂孔甚至盲孔結(jié)構(gòu)均可鍍制成膜；

　　5、涂層致密性好，由于成膜過(guò)程溫度較高，膜基界面上的附著力很強(qiáng)，故膜層十分牢固；

　　6、承受放射線輻射后的損傷較低，能與MOS集成電路工藝相融合。

　　CVD技術(shù)的不足，一是沉積溫度高可達(dá)800-1100°C,在這樣高的溫度下工件易于變形，特別是對(duì)于那些不耐高溫變化的高精度尺寸的工件，對(duì)于其用途會(huì)受到一定的限制，二是由于參與沉積的反應(yīng)物質(zhì)及反應(yīng)后的氣體大都具有易燃、易爆、有毒或是一定腐蝕性，因此需要采取一定的防護(hù)措施。