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多層金屬復合材料的制備工藝

根據(jù)多層復合材料在制備過程中組員材料的不同物理狀態(tài)，可以將多層復合材料的制備方法大體分為三類：固相-固相復合、液相-固相復合、液相-液相復合。固相-固相復合的方法主要有爆炸焊接法，軋制法、擴散法，以及不同的方法組合，我司研制的真空熱壓燒結設備以及sps燒結設備也可應用在該領域。液相-固相復合主要包括鑄軋法、反向凝固法、堆焊法、噴射沉積法等。液相-液相復合主要包括電磁連鑄法等。本期著重介紹固相-固相復合的方法。爆炸焊接法：爆炸焊接法是以炸藥作為能源，利用爆炸產生的高速沖擊作用于...

多層金屬復合材料研究現(xiàn)狀

隨著科學技術的發(fā)展和進步，對材料的性能要求也越來越高，傳統(tǒng)材料由于結構單一，綜合性能不夠突出，難以滿足對多性能耦合要求的服役環(huán)境。但是由多種不同性能的材料通過物理或者化學方法結合制備而成的復合材料，既能保持各組元材料*的性能，也能取長補短，產生協(xié)同效應，使新制備的復合材料綜合性能遠優(yōu)于各組員材料的性能，從而滿足不同復雜工況的要求。自然界中也有很多類似的結構，軟/硬相結合的多層結構可以提高其強度硬度的同時也能有很好的韌性。下圖為貝類外殼的層狀結構。圖1貝類外殼顯微結構由于異種金...

金屬基復合材料的制備

近些年來，科技的不斷發(fā)展和進步，使得傳統(tǒng)材料已無法滿足多種產業(yè)對其比強度、比剛度等性能的要求。高性能材料的研發(fā)是現(xiàn)今新科技發(fā)展的重要方向，而復合材料的出現(xiàn)在較大程度上解決了材料所面臨的問題，促進了材料的發(fā)展。復合材料是由２種或２種以上不同性質的材料，通過物理或化學的方法，在宏觀（微觀）上組成的具有新性能的材料。由于具備較高的比強度和比剛度，金屬基復合材料的研究和發(fā)展受到了眾多行業(yè)尤其是重工業(yè)的密切關注，然而加工困難是限制其工業(yè)應用的瓶頸問題，成本控制問題也并沒有得到完*，所以...

金屬基復合材料的發(fā)展現(xiàn)狀

金屬基復合材料除了具有高比強度、高比模量和低膨脹系數(shù)等特點外，還具有良好的耐熱性、高韌性、耐老化性、高導電和高導熱性，同時還能抗輻射、阻燃、不吸潮、不放氣等特點。通過不同材料的組合，可以人為地制造出符合科技與工業(yè)生產要求的復合金屬材料，可以應用于機械制造、冶金、交通、船舶、制藥等多個領域。1、金屬基復合材料的研究歷史及發(fā)展現(xiàn)狀在２０世紀６０年代，由于傳統(tǒng)金屬材料無法滿足一些國家對于高性能武器裝備以及航空技術發(fā)展的需求，因此人們開始了對新材料的研究和開發(fā)，促成了金屬基復合材料的...

金屬基復合材料

金屬基復合材料（MetalMatrixcomposites,MMCs）主要是指以金屬、合金為基體材料，以纖維、晶須、顆粒等高強度材料作為增強體，制備而成的一種復合材料。MMCs的常用的制備方法有：粉末冶金法、原位生成復合法、噴射成形法、鑄造凝固成型法等。按照不同增強相可以分為連續(xù)纖維增強（主要有碳及石墨纖維、碳化硅纖維、硼纖維、氧化鋁纖維、不銹鋼絲和鎢絲）、非連續(xù)纖維增強（包括碳化硅、氧化鋁、碳化硼等顆粒增強，碳化硅、氧化鋁、等晶須增強，氧化鋁纖維等短纖維增強）和疊層復合三類...

碳化硅半導體封裝核心技術分析——銀燒結技術

隨著電子產業(yè)的發(fā)展，電子產品正在向著質量輕、厚度薄、體積小、功耗低、功能復雜、可靠性高這一方向發(fā)展。這就要求功率模塊在瞬態(tài)和穩(wěn)態(tài)情況下都要有良好的導熱導電性能以及可靠性。功率模塊的體積縮小會引起模塊和芯片電流、接線端電壓以及輸入功率的增大，從而增加了熱能的散失，由此帶來了一些了問題如溫度漂移等，會嚴重影響功率器件的可靠性，加速器件的老化。為了解決高溫大功率器件所面臨的問題，近年來，納米銀燒結技術受到了越來越多研究者的關注。圖1蘋果手機主板上的器件集成度越來越高低溫燒結互連技術...

碳化硅晶體的高溫退火處理

碳化硅SiC晶體生長較常見，較成熟的方法仍然是物理氣相輸運法（PVT），該方法是一種氣相生長方法，生長溫度高，對原材料以及工藝參數(shù)等都有很高的要求。近年來，國內外對PVT工藝的開發(fā)投入了大量的時間和精力，SiC晶體的質量和尺寸等方面有了很大的突破和提高，但是晶體中仍然存在組織缺陷和微觀應力。組織缺陷的存在會惡化SiC基器件的性能，從而影響器件的應用，而應力的存在則會使得SiC晶體在加工階段容易碎裂，從而降低SiC晶片的成品率。因此，降低SiC晶體中存在的組織缺陷和微觀應力就顯...

第三代半導體材料之碳化硅

碳化硅SiC是一種由硅﹙Si﹚與碳﹙C﹚以共價鍵為主結合而成的化合物，其基本單元為Si-C四面體，其中Si原子位于中心，周圍為C原子。SiC所有的結構均由Si-C四面體以不同的堆積方式構成。目前已發(fā)現(xiàn)的碳化硅同質異型晶體結構有200多種，其中六方結構的4H型SiC（4H-SiC）具有高臨界擊穿電場、高電子遷移率的優(yōu)勢，是制造高壓、高溫、抗輻照功率半導體器件的優(yōu)良半導體材料，也是目前綜合性能好、商品化程度高、技術成熟的第三代半導體材料，它具有：（1）臨界擊穿電場強度是硅材料近1...