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真空爐的技術(shù)特點(diǎn)

（1）嚴(yán)格的真空密封：金屬零件進(jìn)行真空熱處理均在密閉的真空爐內(nèi)進(jìn)行，獲得和維持爐子原定的漏氣率，保證真空爐的工作真空度，對(duì)確保零件真空熱處理的質(zhì)量有著非常重要的意義。所以真空熱處理爐的一個(gè)關(guān)鍵問(wèn)題，就是要有可靠的真空密封結(jié)構(gòu)。為了保證真空爐的真空性能，在真空熱處理爐結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)中必須道循一個(gè)基本原則，就是爐體要采用氣密焊接，同時(shí)在爐體上盡量少開(kāi)或者不開(kāi)孔，少采用或者避免采用動(dòng)密封結(jié)構(gòu)，以盡量減少真空泄漏的機(jī)會(huì)。安裝在真空爐體上的部件、附件等如水冷電極、熱電偶導(dǎo)出裝置也都必須設(shè)計(jì)密...

熱應(yīng)力

熱處理殘余力是指工件經(jīng)熱處理后zui終殘存下來(lái)的應(yīng)力，對(duì)工件的形狀，尺寸和性能都有極為重要的影響。當(dāng)它超過(guò)材料的屈服強(qiáng)度時(shí)，便引起工件的變形，超過(guò)材料的強(qiáng)度極*就會(huì)使工件開(kāi)裂，這是它有害的一面，應(yīng)當(dāng)減少和消除。但在一定條件下控制應(yīng)力使之合理分布，就可以提高零件的機(jī)械性能和使用壽命，變有害為有利。分析鋼在熱處理過(guò)程中應(yīng)力的分布和變化規(guī)律，使之合理分布對(duì)提高產(chǎn)品質(zhì)量有著深遠(yuǎn)的實(shí)際意義。例如關(guān)于表層殘余應(yīng)力的合理分布對(duì)零件使用壽命的影響問(wèn)題已經(jīng)引起了人們的廣泛重視。1．鋼的熱處理應(yīng)...

真空爐的特點(diǎn)

（1）水冷裝置，真空熱處理爐的爐殼、爐蓋、電熱元件導(dǎo)別處置（水冷電極）、中間真空隔熱門(mén)等部件，均在真空、受熱狀態(tài)下工作：在這種極為不利的條件下工作，必須保證各部件的結(jié)構(gòu)不變形、不損壞，真空密封圈不過(guò)熱、不燒毀。因此，各部件應(yīng)該根據(jù)不同的情況設(shè)置水冷裝置，以保證真空熱處理爐能夠正常運(yùn)行并有足夠的使用壽命。（2）嚴(yán)格的真空密封：金屬零件進(jìn)行真空熱處理均在密閉的真空爐內(nèi)進(jìn)行，因此，獲得和維持爐子原定的漏氣率，保證真空爐的工作真空度，對(duì)確保零件真空熱處理的質(zhì)量有著非常重要的意義。所以...

真空爐的常識(shí)

1．真空爐處理鈦合金時(shí)，不宜用氮?dú)庾鳛槔鋮s氣體，因?yàn)殁伜偷诟邷叵路磻?yīng)，形成金黃色的氮化鈦。2．真空爐活動(dòng)連接部分全部采用O型橡膠圈密封連接，此部分均通水冷卻。3．工件在真空狀態(tài)下淬火，應(yīng)使用真空淬火油，此油具有較低的飽和蒸氣壓。4．真空爐的保養(yǎng)應(yīng)在真空或充純氮狀態(tài)下，避免平時(shí)不用時(shí)吸氣，吸潮。5．國(guó)內(nèi)真空爐的壓升率應(yīng)不大于1.33Pa/h，國(guó)外某些企業(yè)的標(biāo)準(zhǔn)為0.67Pa/h6．真空加熱以輻射為主，工件在爐內(nèi)應(yīng)該保持間距。7．升溫過(guò)程中，工件及爐內(nèi)材料會(huì)放氣，使真空度下降。...

真空爐的種類(lèi)

一．真空感應(yīng)爐半連續(xù)式真空感應(yīng)爐：坩堝可連續(xù)澆幾個(gè)模子，不必等爐冷后，再將模子取出相對(duì)周期式真空爐而言，不必對(duì)加熱室反復(fù)抽真空，可使加熱室始終處于真空中，另外不必等爐冷后，再將模子取出，提率。二．真空電阻爐1．外熱式真空爐：（在普通井式爐爐膛中放一個(gè)真空爐罐）A．主要進(jìn)行退火操作，可通過(guò)拆去真空管道吊出爐罐進(jìn)行冷卻，可準(zhǔn)備幾個(gè)真空爐罐，進(jìn)行連續(xù)操作。2．內(nèi)熱式真空爐：（爐罐真空，爐罐和爐體之間也是真空）A．特點(diǎn)：可使?fàn)t罐內(nèi)外壓力一致，減少爐罐壁厚B．內(nèi)熱式：電阻絲懸掛在圓柱形...

氣氛對(duì)硅鉬棒的影響

氣氛對(duì)硅鉬棒的影響1、二硅化鉬電熱元件（硅鉬棒）是一種以二硅化鉬為基礎(chǔ)制成的電阻發(fā)熱元件，其在氧化氣氛下高溫使用，表面?；梢粚庸饬林旅艿氖ⅲ⊿iO2）玻璃膜，能保護(hù)硅鉬棒不再氧化，因此硅鉬棒元件具有*的高溫抗氧化性。在氧化氣氛下，元件zui高使用溫度為1800℃，根據(jù)用戶(hù)需求可制成棒狀，U型、W型、U型直角等形狀。硅鉬棒通?？墒褂玫臓t體溫度為1300℃-1800℃，廣泛應(yīng)用于冶金、玻璃、陶瓷、磁性材料、耐火材料、晶體、電子元器件、窯爐制造等領(lǐng)域、工業(yè)高溫爐的加熱元件,...

氣氛對(duì)硅碳棒的影響

氣氛對(duì)硅碳棒的影響硅碳棒為非金屬電熱元件,是用高純度綠色六方碳化硅為主要原料,按一定料比加工制坯,經(jīng)2200℃高溫硅化再結(jié)晶燒結(jié)而制成的棒狀非金屬高溫電熱元件.正常使用溫度可達(dá)1450℃,合理使用條件下,連續(xù)使用超過(guò)2000小時(shí),在空氣中使用,不需要任何保護(hù)氣氛.硅碳棒用途:由于硅碳棒使用溫度高,具有耐高溫、抗氧化,耐腐蝕、升溫快、壽命長(zhǎng)、高溫變形小、安裝維修方便等特點(diǎn)。有良好的化學(xué)穩(wěn)定性。若與自動(dòng)化供電系統(tǒng)配套,既可得到的恒定溫度,又可根據(jù)生產(chǎn)工藝的實(shí)際需要按曲線(xiàn)自動(dòng)調(diào)溫。...

CVD（Chemical Vapor Deposition, 化學(xué)氣相淀積）

CVD試驗(yàn)CVD（ChemicalVaporDeposition,化學(xué)氣相淀積），指把含有構(gòu)成薄膜元素的氣態(tài)反應(yīng)劑或液態(tài)反應(yīng)劑的蒸氣及反應(yīng)所需其它氣體引入反應(yīng)室，在襯底表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成薄膜的過(guò)程。在超大規(guī)模集成電路中很多薄膜都是采用CVD方法制備。經(jīng)過(guò)CVD處理后，表面處理膜密著性約提高30%，防止高強(qiáng)力鋼的彎曲，拉伸等成形時(shí)產(chǎn)生的刮痕。CVD特點(diǎn)：淀積溫度低，薄膜成份易控，膜厚與淀積時(shí)間成正比，均勻性，重復(fù)性好，臺(tái)階覆蓋性?xún)?yōu)良。